LED 最初诞生于1962 年，是激光技术的副产品。经过多年的发展，LED已经成为照明之王。
早在1907年，英国马可尼实验室的科学家亨利·朗德就首先推论出半导体PN结在一定条件下可以发光。这一发现为发光二极管的发明奠定了物理基础。
当俄罗斯科学家Oleg Vladimirovich Losev 于1927 年制造出世界上第一台LED 时，他的作品发表在俄罗斯、德国和英国的科学期刊上，但他却被忽视了。
1955年，美国无线电公司33岁的物理学家鲁宾·布劳恩斯坦（Rubin Braunstein）第一个发现了砷化镓（GaAs）等半导体合金的红外辐射，并在物理上实现了发光二极管。不幸的是，发射的光不是可见光，而是红外线，但这是一个很大的贡献。
1961 年，德州仪器(TI) 科学家鲍勃·比亚德(Bob Biard) 和加里·皮特曼(Gary Pittman) 发现砷化镓在暴露于电子流时会发出红外辐射。他们率先生产商用红外发光二极管，并申请了砷化镓红外二极管专利。很快，红外发光二极管广泛应用于传感和光电器件。
1962年，美国通用电气公司34岁的普通研究员Nick Holonyak Jr.发明了一种发出红色可见光的LED。他被称为“发光二极管之父”，后来获得了N多个奖项。当时，LED 只能手工制作，每个售价10 美元。 1963年，他离开通用电气，成为母校伊利诺伊大学电气工程系教授，培养继任者。
1972年，Holonyak的学生M. George Craford追随前人的脚步，发明了第一批橙色和黄色发光二极管，其亮度比之前的红色发光二极管亮10倍，标志着未来。第一步是提高LED灯的效率。
20世纪70年代后期，出现了红、橙、黄、绿、翠绿等颜色的LED，但仍然没有蓝色和白色的LED。因为只有蓝光LED的发明才能实现全彩，市场价值巨大，也是当时世界的关键问题。相反，科学家们正在努力提高发光二极管的效率。
20世纪70年代中期，当LED可以发出绿光、黄光和橙光时，发光效率为1流明/瓦。 20世纪80年代中期，利用砷化镓和铝磷诞生了第一代高亮度红、黄、绿LED，发光效率达到10流明/瓦。
1993年，中村修二在日本日立公司工作时，利用半导体材料氮化镓（GaN）和氮化铟（InGaN）发明了蓝光LED。在蓝光LED出现之前，LED无法应用于照明领域，因为无法通过RGB系统合成白光，而且LED的光效和亮度不高。因此，1995年，Shuji Nakamura通过氮化铟发明了绿色LED。 1998年，红、绿、蓝三种LED被用来制造白光LED。此后，绿光和白光LED的研发成功，标志着LED正式进入照明领域，是发展过程中最关键的里程碑。中村修二被誉为“蓝光、绿光、白光LED之父”
1996年，日亚化学公司在日本申请了第一个白光LED发明专利，即用YAG黄色荧光粉涂覆蓝光，芯片发出（蓝光）。蓝光和白光LED的出现拓宽了LED的应用领域，使其可以用于全彩LED显示屏、LED照明等应用。
到2000 年代初期，LED 可以发出任何可见光谱颜色的光（包括红外线和紫外线）。其发光效率已达到100流明/瓦以上。
LED源自三个单词Light Emitting Diode（发光二极管）的缩写。中文翻译为“发光二极管”，具有二极管的特性。 LED的核心是半导体芯片。芯片主要由P型和N型半导体组成。不同材料的P型和N型半导体在正向电流的作用下会发出不同颜色的光。
1、节能，比白炽灯节能80%以上，比节能灯节能50%以上
4、可选光色，灵活应用光色和色温
7、冷光源没有紫外线和红外线，因此没有热量和辐射。
8、寿命长，寿命可达50000-100000小时，比传统光源长10-50倍。
1、散热问题。 LED电致发光过程中，另一部分能量转化为热量。如果不能及时发光，PN结温度升高，会加速芯片和封装树脂的老化，导致芯片失效，影响LED的使用寿命和发光性能。
2、防水性能差是户外使用的致命弱点。光源内部吸水后内部金属氧化会影响输出或产生内应力和荧光粉
3、成本高。光源。散热器电源。高穿透力灯罩/镜片/反射器。这四项成本共同推高LED成本
4、驱动器需要恒流电源，驱动器寿命是影响灯寿命的重要因素。
5、半导体器件对静电冲击比较敏感，容易发生PN结静电击穿，造成漏电流或死灯。
LED 工作电压通常介于两者之间。 （不同光色的LED有不同的压降）：绿-蓝、品蓝-红、琥珀色、橙色、-。 LED的工作电流会随着电源电压的变化而产生较大的波动，因此LED通常需要工作在恒流驱动状态。 LED具有单一导通特性（电流只能从二极管的阳极流入，从阴极流出）。 LED 的光输出根据电流输入而变化。 LED 的光输出很大程度上受其工作温度的影响。
LED芯片是半导体发光器件LED的核心部件，其主要成分是砷（AS）。铝（AL）。镓（Ga）。铟(IN)。磷（P）。氮(N)。
1、制作单晶棒，然后用金刚石刀（主要是蓝宝石、SiC、Si）将单晶棒切成薄片。长晶炉——拉出单晶棒——滚磨——质检——切片——打磨——倒角——抛光——清洗——质检——OK。
2、外延片制作——在外延衬底上采用MOCVD金属有机化学气相沉积等方法在单晶衬底上进行——结构设计——缓冲层生长——N型GaN层生长——多量子阱发光层生长—— P型GaN薄膜生长-退火-检测（荧光、X射线）-外延片。
3、芯片制作——外延片上制作电极（PN电极）及切割分选成品等外延片活化——蚀刻——蒸镀——PN电极制作——保护层——焊盘——研磨抛光——点测量——切割——展开-目视检查-包装。
1、上支架-点胶-芯片-烘烤固晶-金线邦定剂-模具胶-插入支架-脱模-固化-切脚-测试-光色选-包装（草帽管、食人鱼等） ）。
2、上支架--点胶--芯片--烘烤固晶--金线邦定--打点荧光胶--外壳封装--测试--光色选--封装（大功率LED）。
光源模组、替代光源、灯具、灯带、照明工程、家居装饰、汽车尾灯、植物生长、医疗、手机笔记本电脑、电视背光等。
优点：密封性好、抗冲击力强、防护能力好、成本低。
缺点：散热差，耐黄变，耐应力，耐紫外线，焊接温度过高易开裂。因此，主要用作通用型LED外部密封胶。
优点：折射率高，透光率高，密封性能比硅胶好，散热能力介于环氧树脂和硅胶之间，具有树脂和硅胶的一些性能。
缺点：应力比硅胶大，容易因防潮或焊接不当而产生胶水裂纹。由于价格较高，层状硅胶主要用作高亮度白光LED外封胶。
优点：热膨胀系数小，散热好，应力小，紫光能力强，回流焊接时不易破裂，抗黄变能力强。
缺点：密封性差，防护能力弱，抗冲击性差，透氧透湿性差。用于户外照明结构二次保护的硅脂价格相对较高，主要用于密封有失光要求的白光LED。
LED在工作时会释放大量热量，导致结温迅速升高，热阻增大。输入功率越大，加热效果越大。温度升高会导致器件性能变化和衰减、无辐射复合增加、器件漏电流增加、半导体材料缺陷增加、金属电极电迁移、封装环氧树脂泛黄等，将严重影响器件的性能。 LED的光电参数。甚至禁用电源LED。因此，降低热阻和结温以及研究LED的热特性变得越来越重要。
可以通过光分布控制的照明范围、照明方向、预计有效安装高度、照明范围（当然取决于光源）、照明范围内的近似照明、照明
