LED 是由半导体材料制成的发光器件，当使用III-V 化学元素（磷化镓(Gap)、砷化镓(GaAs) 等）提供能量时会发光。光通过电子和空穴结合转化为光；即当对化合物半导体施加电流时，多余的能量释放成光，从而发光，具有发光效应。
LED最大的特点是加热时间、空闲时间、响应速度快（约10^-9秒）、体积小、功耗低、污染低、可批量生产、可靠性高，汽车、电信行业、计算机、交通灯、等，可以轻松满足您的应用需求，制造非常小的阵列组件，如液晶面板、背光源等。
上游是单芯片及其扩展，下游加工是中档产品的封装测试和应用，比如河北。
其中，中高端技术含量高，资金投入强度高。
LED的颜色和亮度取决于外延材料，外延芯片约占成本的70%，这对LED行业非常重要。
上游由外延芯片形成，长约6至8厘米，非常薄，类似于扁平金属。
常见的Epi 方法包括液体Epi Taxi (LpE)、气象Epi Taxi (VpE) 和金属有机化学气相沉积(MOCVD)。 VpE和LpE技术已经非常成熟，可以用来生长普通亮度的LED。
上游外延工艺的顺序是单芯片（III-V族衬底）、结构设计、晶体生长和材料性能/厚度测量。
中游厂商根据LED性能要求来设计设备结构和工艺。外延片扩散金属化后，进行光刻、热处理和金属电极形成，然后对基板进行抛光和抛光以进行划片。
根据芯片尺寸的不同，可以切割成20,000至40,000个芯片。
这些看起来像海滩沙子的碎片通常用特殊胶带固定，然后发送到下游制造商进行包装。
中游芯片的加工顺序为外延芯片、金属膜蒸镀、光学掩膜、蚀刻、热处理、切割、裂化、测量。
通过将外部引线连接至LED芯片的电极而形成，以保护LED芯片并提高光提取效率。
下游厂商的封装加工顺序：芯片、芯片键合、键合、引线键合、树脂封装、长烤、镀锡、剪切、测试。
