2007年，美国CREE公司在SiC衬底上生长了双异质结，设备也非常好。 SiC基板可以将LED的金属电极制作在基板的底部，电流可以以低电阻通过。基板的线性流动也为其他光电器件的发展奠定了基础。
同年，日亚化学推出了下一代高功率白光LED，其光通量为1451m，在350mA电流输入下光输出为1341m/W。
之所以需要实现白光LED的高功率化，是因为需要实现所使用的蓝光LED芯片的高功率化。
蓝色LED 在350mA 驱动速度、波长444nm、外部量子功率% 和WPE % 下的光功率为651mW。
同年，Nichia推出了发光功率为1501m/W的白光LED。
该LED的功率代表了当时行业的最高水平。
正向电流为20 mA 的类型为1001 m/W。
2009年初，CREE宣布实现了1611m/W的发光效率和4689K的色温。
LED 规格测试条件是在室温下以350 mA 的驱动电流进行的。
2009年底，CREE宣布其白光大功率LED的发光效率已达到1861m/W。
测试在标准测试环境下进行，室温下驱动电流为350mA。
2009年初，Nichia的实验室结果显示，LED的发光功率从20mA增加到2,491m/W，但对于一般LED行业常用的350mA电流，发光功率下降到1451m/W。业界对此高度重视。
2011年，欧司朗开发工程师改进了LED生产涉及的所有技术。在实验室测试中，新研发的白光LED刷新了该公司的亮度和发光功率。
在350mA的工作电流规格下，LED的亮度可达1551m，发光功率达到1361m/W。
白光LED原型机采用1mm2芯片，色温为5000K，色品坐标为/(Cx/Cy)。
2012年，CREE宣布白光LED的发光效率突破231lm/W，采用单一模块组件在色温4500K、规格测试室温350mA下测得白光LED效率为2311m/W。
如今，LED靶材已被不断使用，并且随着应用和标记行业的扩大，LED灯珠的需求也日益多样化。
技术进步不仅是当前目标的单一参数，而且逐年降低成本。
