LED长期工作会因光衰而造成老化。尤其是大功率LED，光崩问题更为严重。在测量LED 寿命时，当LED 寿命到期时，仅仅使用损坏的灯泡是不够的。 LED 寿命必须以LED 的光衰减百分比来指定，例如5% 或10%。
光学故障33760 当感光鼓表面带电时，电势随着电荷在感光鼓表面上的积累而增加，最终达到最高电势“饱和”电势。表面电势随着时间的推移而降低，并且在正常操作期间低于该电势。当感光鼓被扫描曝光时，暗区（感光体未受光照射的表面）的电势仍在经历暗衰减过程。光电导体层中的载流子密度在明亮区域（指被照射部分的光电导体表面）急剧增加。电导率迅速上升，形成光电导电压，电荷迅速消失，光电导体表面电位急剧下降。称之为“光的崩溃”，最后慢了下来。
矿物质引起的衰变效应：又称S-W效应。当强光长时间照射a-Si:H薄膜或有电流流过时，薄膜中会出现缺陷，从而降低薄膜的有用性能。这就是所谓的Steabler-Wronski 效应。关于S-W效应的成因仍然存在很多争议，并且这种现象的微观机制仍不确定。国内外正在对非晶硅材料进行研究。一般来说，SW效应是由光照引起的，导致带隙中出现新的悬空键缺陷态（深能级），从而影响a-Si:H薄膜材料中费米能级EF的位置。因此，电子的分布发生变化，引起光学性质的变化，影响电子复合过程。这些缺陷态充当电子和空穴的额外复合中心，从而增加电子捕获横截面积并缩短其寿命。
在a-Si:H薄膜材料中，类似于晶体硅的Si-H键和Si-Si键可以稳定存在，并且这些键具有较大的键能，不易断裂。由于a-Si:H材料的结构扰动，部分Si-Si键的键长和键角发生变化，导致Si-Si键变形。高张力的Si-Si 键具有与H 相当的化学势，并且可以被外部能量阻断。如果断裂应变的Si-Si键没有重建，a-Si:H薄膜的悬浮键密度会增加。为了更好地理解SW效应的机理，寻找稳定的加工方法和工艺来控制a-Si:H薄膜的悬挂键，国内外科学家进行了20多年的不懈努力。物理模型主要有弱键断裂（SJT）模型、“H-玻璃”模型、H-碰撞模型、Si-H-Si桥键形成模型、“缺陷池”模型等，但目前尚无统一的观点。
